Datasheet下载- 型号： IRLD120PBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLD120PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLD120PBF价格参考。VishayIRLD120PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLD120PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLD120PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRLD120PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IRLD120PBF适合用于开关电源中的开关管，尤其是在低电压、大电流的应用场合。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性能够减少功率损耗，提高效率。 2. 直流电机驱动 - 在小型直流电机控制中，该MOSFET可以用作开关器件，实现电机的启动、停止和调速功能。 - 常见于消费电子产品、玩具和小型家用电器中。 3. 负载切换 - 用于电池供电设备或便携式电子产品的负载切换，确保在不同工作模式下高效切换负载。 - 例如：手机充电器、笔记本电脑适配器等。 4. LED驱动 - 在LED照明应用中，IRLD120PBF可以作为开关器件，用于恒流源电路或PWM调光控制。 - 特别适用于低电压LED灯条或背光驱动。 5. 音频功放电路 - 在Class D音频放大器中，该MOSFET可以用作输出级开关器件，提供高效的音频信号放大。 6. 电池保护 - 用于锂电池或其他可充电电池的保护电路中，防止过充、过放或短路。 - 其低导通电阻有助于降低电池保护电路的功耗。 7. 逆变器与太阳能微逆变器 - 在小型逆变器或太阳能微逆变器中，该MOSFET可用作开关元件，将直流电转换为交流电。 8. 继电器替代 - 由于其快速开关特性和低功耗，IRLD120PBF可以替代传统机械继电器，用于需要频繁开关的应用。 总结 IRLD120PBF凭借其低导通电阻（典型值为12mΩ）、低栅极电荷和高电流能力（最大 drain-source 电流可达39A），非常适合用于需要高效开关和低功耗的场景。其典型工作电压范围为-20V至20V，适用于各种低电压、高效率的电力电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIPMOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.3 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLD120PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLD120PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1300 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.3 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 64 ns |
| 下降时间 | 64 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 270 毫欧 @ 780mA，5V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRLD120PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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