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  • 型号: IXFN34N100
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN34N100由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN34N100价格参考。IXYSIXFN34N100封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFN34N100参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFN34N100 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXFN34N100是一款高功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效能和高稳定性的电力电子系统中。其主要应用场景包括:

1. 电源转换器:适用于DC-DC转换器、AC-DC电源模块等,用于高效能电源管理。
2. 电机驱动系统:常用于工业电机控制、电动车驱动器中,具备高电流承载能力和低导通损耗。
3. 逆变器设备:如UPS不间断电源、太阳能逆变器等,适用于高效率能量转换。
4. 工业自动化设备:在自动化控制系统中作为功率开关使用。
5. 充电设备:用于电池充电系统,尤其是高功率电池组的充电管理。

该器件具备高耐压(1000V)、大电流(34A)特性,适合高温环境下运行,适用于高要求的工业与能源管理领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227B

产品分类

FET - 模块

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXFN34N100

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

HiPerFET™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 8mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

9200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

380nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

280 毫欧 @ 500mA,10V

供应商器件封装

SOT-227B

功率-最大值

700W

包装

管件

安装类型

底座安装

封装/外壳

SOT-227-4,miniBLOC

标准包装

10

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

34A

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