【未分类_NTMS3P03R2G】封装/厂家_NTMS3P03R2G中文资料_价格

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型号： NTMS3P03R2G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS3P03R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS3P03R2G价格参考。ON SemiconductorNTMS3P03R2G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTMS3P03R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS3P03R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMS3P03R2G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好的热性能，适用于多种电力电子应用场景。以下是其主要应用场景：

1. 电源管理：  
   NTMS3P03R2G 可用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电压调节模块（VRM）。其低 Rds(on) 特性有助于减少传导损耗，提高效率，特别适合笔记本电脑、服务器和其他电子设备的电源管理系统。

2. 电机驱动：  
   该 MOSFET 可用作电机驱动电路中的功率开关，适用于小型直流电机或步进电机控制。其快速开关能力和低功耗特性使其成为高效电机驱动的理想选择。

3. 负载开关：  
   在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，NTMS3P03R2G 可作为负载开关使用，实现对不同电路模块的动态供电管理，降低待机功耗。

4. 电池保护与管理：  
   该器件可用于锂电池保护电路中，通过精确控制充电和放电路径，防止过流、短路或过充等问题，确保电池安全。

5. 信号切换与隔离：  
   在通信设备或工业控制系统中，NTMS3P03R2G 可用于信号切换和隔离，提供可靠的电气隔离和快速响应。

6. 汽车电子：  
   虽然 NTMS3P03R2G 不是专门的车规级器件，但在非关键车载应用（如照明控制、风扇控制等）中仍可发挥作用。

7. 消费类电子产品：  
   包括家用电器、音频设备和游戏机等，NTMS3P03R2G 可用于功率转换、信号放大或其他需要高效开关的应用。

总结来说，NTMS3P03R2G 凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域，特别是在需要高效功率转换和低功耗的场景中表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NTMS3P03R2G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	750pF @ 24V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	25nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	85 毫欧 @ 3.05A，10V
供应商器件封装	8-SOIC N
其它名称	NTMS3P03R2GOS
功率-最大值	730mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.34A （Ta）