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  • 型号: FDP090N10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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FDP090N10产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDP090N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP090N10价格参考。Fairchild SemiconductorFDP090N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 75A(Tc) 208W(Tc) TO-220-3。您可以下载FDP090N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP090N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 75A TO-220MOSFET 100V 75A N-Chan PowerTrench

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

75 A

Id-连续漏极电流

75 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP090N10PowerTrench®

数据手册

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产品型号

FDP090N10

PCN封装

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

208 W

Pd-功率耗散

208 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

322 ns

下降时间

149 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

8225pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

116nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 75A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

166 ns

功率-最大值

208W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tc)

系列

FDP090N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

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