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产品简介:
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IRFI9540GPBF是由Vishay Siliconix生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号广泛应用于需要高效开关和功率管理的场景中,以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: IRFI9540GPBF适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功耗,提高效率。 2. 电机驱动: 该MOSFET可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制,适合家用电器、玩具和工业自动化设备。 3. 负载切换: 在需要频繁开启或关闭负载的应用中,例如USB充电端口保护、电池管理系统(BMS)等,IRFI9540GPBF能够实现快速且低损耗的切换。 4. 逆变器和变频器: 用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)或其他需要高频开关的变频器系统中,支持高效的能量转换。 5. LED驱动: 在大功率LED照明应用中,该MOSFET可以作为开关元件,用于恒流或恒压驱动电路,确保LED稳定工作。 6. 汽车电子: IRFI9540GPBF符合车规级要求,可应用于汽车电子中的启动马达控制、车载充电器和电子控制单元(ECU)等场景。 7. 通信设备: 在基站、路由器和其他通信设备中,该MOSFET可用于功率放大器的供电电路和信号调节电路。 总之,IRFI9540GPBF凭借其高电流承载能力、低导通电阻和优异的热性能,成为各种功率转换和控制应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 100V 11A TO220FPMOSFET P-Chan 100V 11 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI9540GPBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91164 |
产品型号 | IRFI9540GPBFIRFI9540GPBF |
Pd-PowerDissipation | 48 W |
Pd-功率耗散 | 48 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 110 ns |
下降时间 | 86 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 200 毫欧 @ 6.6A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | *IRFI9540GPBF |
典型关闭延迟时间 | 51 ns |
功率-最大值 | 48W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |