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产品简介:
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STMicroelectronics 的 STB70N10F4 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场合。其主要特点包括低导通电阻、高耐压(100V)和大电流承载能力(70A),适合用于电源管理和功率转换系统。 典型应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,提高能效并减小体积。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机控制电路中作为功率开关,实现高效调速与制动。 3. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,保护电池免受过流与短路损害。 4. DC-DC 转换器:在升压(Boost)或降压(Buck)电路中作为高频开关,提升转换效率。 5. 负载开关与继电器替代:实现快速、可靠的电子开关控制,减少机械磨损。 6. 汽车电子系统:如车载充电系统、照明控制等,得益于其高可靠性和耐高温性能。 该器件采用 TO-220 封装,易于散热和安装,适用于工业和消费类电子产品中的中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STB70N10F4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | DeepGATE™, STripFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 19.5 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 65A (Tc) |