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Datasheet下载- 型号： IRF3710STRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF3710STRLPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF3710STRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF3710STRLPBF价格参考￥4.33-￥4.71。International RectifierIRF3710STRLPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 100V 57A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载IRF3710STRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF3710STRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF3710STRLPBF 是一款N沟道功率MOSFET，属于高性能单MOSFET器件，广泛应用于需要高效、高电流开关能力的场合。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中，因其低导通电阻（RDS(on)）和高效率，有助于降低能量损耗，提升电源整体效率。 2. 电机驱动：适用于工业控制、电动工具、家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，可承受较高的脉冲电流，具备良好的热稳定性和可靠性。 3. 汽车电子：在汽车电子系统中用于车身控制模块、车灯驱动、风扇控制等，符合AEC-Q101标准，具备较强的抗干扰和耐高温能力，适合严苛的车载环境。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和小型逆变设备中作为关键开关元件，实现高效的电能转换。 5. 消费类电子产品：如大功率LED驱动、充电器、适配器等，利用其快速开关特性和小封装优势，节省空间并提高系统集成度。 IRF3710STRLPBF采用TO-252（DPAK）贴片封装，便于自动化生产，同时支持表面贴装工艺，适用于现代高密度PCB设计。其优异的性能使其在工业、汽车和消费电子领域均具有广泛适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 3.13 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 57A D2PAKMOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
| Id-连续漏极电流 | 57 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF3710STRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF3710STRLPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 200 W |
| Qg-GateCharge | 86.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 130 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 23 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 23 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 58 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3130pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 23 毫欧 @ 28A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF3710STRLPBF-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 200W |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 23 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 86.7 nC |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 32 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 57 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf3710s.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf3710s.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
