Datasheet下载- 型号： SI7423DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7423DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7423DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7423DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7423DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7423DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7423DN-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于对空间和能效要求较高的电子设备。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、稳压模块中，实现高效的电能转换。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为开关元件，控制电源的通断，延长电池寿命。 3. 电机驱动：用于小型电机或继电器的开关控制，具备较强的电流承载能力。 4. 工业控制：如PLC、传感器模块、自动化设备中的信号切换与功率控制。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中的电源管理电路。 该MOSFET采用8引脚DFN封装，适合表面贴装，节省PCB空间，适用于高密度设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 7.4A PPAK 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7423DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 11.7A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.4A （Ta） |
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