ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > CSD16414Q5
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： CSD16414Q5
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
CSD16414Q5产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD16414Q5由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD16414Q5价格参考。Texas InstrumentsCSD16414Q5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 25V 34A（Ta），100A（Tc） 3.2W（Ta） 8-VSON-CLIP（5x6）。您可以下载CSD16414Q5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD16414Q5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD16414Q5是由Texas Instruments（德州仪器）生产的一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：CSD16414Q5适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、降压/升压转换器等应用。由于其低导通电阻（Rds(on)），能够高效地控制电流流动，减少功率损耗。 2. 电机驱动：该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停和速度调节。 3. 负载切换：在消费电子设备中，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备中，CSD16414Q5可用于负载切换，确保设备在待机或关机状态下不会漏电。 4. 电池保护：在电池管理系统（BMS）中，这款MOSFET可以用来防止过充、过放以及短路等情况，保护电池安全。 5. 音频放大器：在某些D类音频放大器设计中，CSD16414Q5可用作输出级开关，提供高效的音频信号放大。 6. 通信设备：适用于基站、路由器等通信设备中的信号处理和电源管理部分，保证系统稳定运行。 7. 汽车电子：尽管具体车规级认证需另行确认，但类似规格的器件常用于汽车内部的电子控制系统，例如车载信息娱乐系统、雨刷控制器等。 总之，CSD16414Q5凭借其高性能参数（如低导通电阻、高工作频率等），广泛应用于需要高效能、快速响应的各种电子产品和工业设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 100A 8-SONMOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 34 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不受限制有害物质指令(RoHS)规范要求限制 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD16414Q5NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD16414Q5 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.2 W |
| Qg-栅极电荷 | 16.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 12 V, + 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 24 ns |
| 下降时间 | 11.1 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3650pF @ 12.5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.9 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25585 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SON |
| 其它名称 | 296-24257-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 18.4 ns |
| 制造商产品页 | http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp?distId=10&orderablePartNumber=CSD16414Q5 |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | VSON-8 Clip |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 138 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 34A（Ta）， 100A（Tc） |
| 系列 | CSD16414Q5 |
| 视频文件 | http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=541363338001http://www.digikey.cn/classic/video.aspx?PlayerID=1364138032001&width=640&height=455&videoID=1083957888001 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
