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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLS3036TRRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLS3036TRRPBF价格参考。International RectifierIRLS3036TRRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRLS3036TRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLS3036TRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为 IRLS3036TRRPBF 的晶体管属于 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),是一款单N沟道功率MOSFET。 应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,因其具有低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,有助于提高能源利用率。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机等驱动电路,能够承受较高的电流和电压冲击,保证稳定运行。 3. 负载开关:在电池供电设备中作为高侧或低侧开关使用,控制电源通断,常见于便携式设备和工业控制系统中。 4. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源(UPS)或逆变器中,作为高频开关元件,实现电能形式的转换。 5. 汽车电子:由于其高可靠性和符合RoHS环保标准,IRLS3036TRRPBF也适用于汽车中的电子控制系统,如车身控制模块、电动窗、座椅调节系统等。 该MOSFET采用TSSOP封装,适合表面贴装,适用于紧凑型电路设计,尤其在需要高效、小型化设计的场景中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 270A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRLS3036TRRPBF |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11210pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 毫欧 @ 165A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
供应商器件封装 | D2PAK |
功率-最大值 | 380W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 800 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 195A (Tc) |