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  • 型号: STD65N55F3
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STD65N55F3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD65N55F3价格参考。STMicroelectronicsSTD65N55F3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STD65N55F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STD65N55F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 80A DPAKMOSFET STripFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

80 A

Id-连续漏极电流

80 A

品牌

STMicroelectronics

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD65N55F3STripFET™

数据手册

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产品型号

STD65N55F3

Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

33.5 nC

Qg-栅极电荷

33.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

4 V

上升时间

50 ns

下降时间

11.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.5 毫欧 @ 32A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

497-7973-6

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF166002?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

110W

包装

Digi-Reel®

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

50 S

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

80A (Tc)

系列

STD65N55F3

通道模式

Enhancement

配置

Single

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