Datasheet下载- 型号： STD65N55F3
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STD65N55F3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STD65N55F3价格参考。STMicroelectronicsSTD65N55F3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STD65N55F3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD65N55F3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STD65N55F3是一款N沟道增强型MOSFET，具有高耐压、低导通电阻和良好热稳定性的特点。该器件广泛应用于需要高效能功率管理的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC适配器，用于提高转换效率并减小体积。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器及工业自动化中作为电机驱动开关，实现对转速与扭矩的精确控制。 3. 照明系统：如LED路灯或大功率照明设备中的恒流源开关元件。 4. 汽车电子：车载充电器、电池管理系统(BMS)以及车身控制模块等场合。 5. 消费类电子产品：例如电脑主板VRM供电部分、游戏机电源等。 其55V耐压与65A额定电流能力使其适合中高功率级别设计使用。此外，T0-220封装形式便于散热安装，在保证性能的同时提升了整体可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 80A DPAKMOSFET STripFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 80 A |
| Id-连续漏极电流 | 80 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD65N55F3STripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STD65N55F3 |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 33.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 33.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 11.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 32A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26067 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | 497-7973-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF166002?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 110W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 50 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 80A （Tc） |
| 系列 | STD65N55F3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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