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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD5805NT4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD5805NT4G价格参考。ON SemiconductorNVD5805NT4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVD5805NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVD5805NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD5805NT4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源转换电路,具有低导通电阻(Rds(on))特性,有助于提高能效并减少发热。 2. 电机控制:在小型电机驱动电路中作为开关元件,控制电机的启停与转速。 3. 负载开关:用于智能电源分配系统,如服务器、工业控制系统中的负载切换,具备良好的开关特性和耐压能力。 4. 电池供电设备:广泛应用于笔记本电脑、平板、便携式仪器等设备中,作为高效能开关元件,有助于延长电池寿命。 5. 汽车电子:符合AEC-Q101标准,可用于汽车中的辅助电机控制、灯光系统、车载充电系统等场景。 该器件采用TSOP封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB设计。整体适用于中低功率、高效率、高频率开关场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 40V 51A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NVD5805NT4G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1725pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.5 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 47W |
包装 | * |
安装类型 | * |
封装/外壳 | * |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 51A (Tc) |