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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SIHF15N60E-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,主要应用于需要高效功率开关的场合。该器件具有 600V 的漏源击穿电压和 15A 的连续漏极电流能力,适合中高功率应用。 常见应用场景包括: 1. 电源转换器:如 AC-DC 和 DC-DC 转换器,用于开关电源(SMPS)中的主开关元件,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:适用于工业自动化设备、电动工具和家用电器中的电机控制电路。 3. 照明系统:在 LED 照明驱动电源中作为高频开关使用,提升能效和减小体积。 4. 充电器与适配器:用于笔记本电脑、平板等设备的电源适配器中,提供高效率和稳定性。 5. 逆变器:在太阳能逆变器或不间断电源(UPS)系统中,作为核心开关元件进行直流到交流的能量转换。 6. 负载开关:用于控制大功率负载的通断,如加热元件、风扇等。 其高耐压、低导通电阻及良好的热稳定性使其在多种电力电子设备中广泛使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 600V 15A TO220 FULLP |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SIHF15N60E-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 280 毫欧 @ 8A,10V |
供应商器件封装 | TO-220 整包 |
功率-最大值 | 34W |
包装 | 散装 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |