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产品简介:
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IRFIBE30G 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件常用于高功率开关应用,具有较高的耐压和大电流承载能力。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等,用于高效能的电能转换。 2. 电机驱动:适用于直流电机、步进电机或无刷电机的控制电路中,作为高速开关元件。 3. 逆变器与变频器:在 UPS(不间断电源)、太阳能逆变器、工业变频设备中用于功率转换与调节。 4. 汽车电子:用于车载电源系统、电机控制、LED 照明驱动等场景,满足汽车应用中的高可靠性需求。 5. 工业自动化:作为功率开关用于工业控制设备、PLC、继电器替代方案等。 6. 负载开关与保护电路:用于高边或低边开关控制,实现对负载的快速通断保护。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))、高耐压(300V)、大电流能力(连续漏极电流可达 20A)和优良的热稳定性,适合高频开关应用,有助于提高系统效率和减小散热设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91184 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFIBE30G |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 1.3A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFIBE30G |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.1A (Tc) |