Datasheet下载- 型号： IRFR1010ZTRRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1010ZTRRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1010ZTRRPBF价格参考。International RectifierIRFR1010ZTRRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR1010ZTRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR1010ZTRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRFR1010ZTRRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。其应用场景广泛，主要适用于需要高效功率转换和开关操作的场合。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：该MOSFET可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器中，提供高效的功率转换和稳定的电压输出。 2. 电机驱动：在电机控制电路中，IRFR1010ZTRRPBF可以作为开关器件，用于调节电机的速度和方向，适用于小型直流电机或步进电机驱动。 3. 负载切换：在需要快速、可靠地切换高电流负载的应用中，例如汽车电子中的负载切换或工业自动化设备中的负载控制，该MOSFET表现优异。 4. 电池管理系统：用于保护电池免受过充、过放和短路的影响，通过精确控制充电和放电路径来优化电池寿命。 5. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，该MOSFET可以用作开关元件，将直流电转换为交流电。 6. LED驱动：在高亮度LED照明应用中，IRFR1010ZTRRPBF可以用来调节电流，确保LED的亮度一致性和稳定性。 7. 通信设备：在基站和其他通信设备中，该MOSFET可用于功率放大器的偏置控制和信号处理。 由于其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压特性，IRFR1010ZTRRPBF能够在高频和高功率条件下保持高效运行，同时减少能量损耗和热量产生。这使得它成为许多现代电子设备中不可或缺的组件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR1010ZTRRPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2840pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 42A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
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