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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6611TR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6611TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6611TR1PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6611TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6611TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF6611TR1PBF 是一款N沟道功率MOSFET,属于高性能场效应晶体管(FET),广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理系统中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和AC-DC电源模块中,因其低RDS(on)特性可减少能量损耗,提高能效。 2. 电机驱动:适用于工业电机控制、电动工具、家用电器中的电机驱动电路,提供快速开关响应和高电流处理能力。 3. 照明系统:在LED驱动电源中作为开关元件,支持恒流输出与高效调光功能。 4. 消费电子:广泛用于笔记本电脑、显示器、充电器等设备的电源部分,满足小型化与高效率需求。 5. 工业控制:用于继电器驱动、负载开关和电源保护电路,具备良好的热稳定性和可靠性。 6. 汽车电子:虽然非车规级主芯片,但在部分车载辅助电源系统或车载充电设备中也可应用。 IRF6611TR1PBF采用TSDS-6封装,具有较小体积和良好散热性能,适合高密度PCB布局。其100V耐压和较高连续漏极电流能力,使其在中高压应用中表现优异。同时,该器件符合RoHS环保标准(含“Pb-free”标识),适用于无铅焊接工艺。 综上,IRF6611TR1PBF是一款通用型高效MOSFET,适用于多种中高功率开关场景,尤其适合注重能效与可靠性的工业与消费类电源设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRF6611TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4860pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.6 毫欧 @ 27A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6611TR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 3.9W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 32A (Ta), 150A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6611.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6611.spi |