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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFX180N25T由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFX180N25T价格参考。IXYSIXFX180N25T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFX180N25T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFX180N25T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFX180N25T是一款高功率MOSFET晶体管,广泛应用于需要高效、高电流开关能力的电力电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器,适用于工业电源、服务器电源和通信设备电源模块。 2. 电机驱动:用于直流电机、无刷电机的控制电路中,适用于电动工具、电动车、工业自动化设备等场景。 3. 逆变器系统:常见于太阳能逆变器、UPS不间断电源和储能系统中,用于将直流电转换为交流电。 4. 焊接设备:在高频逆变焊机中作为主开关元件,提供高效能和稳定输出。 5. 电池管理系统:用于高功率电池充放电控制电路中,如电动交通工具和储能系统。 该器件具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力(持续漏极电流可达180A),适合高频开关应用,同时具备良好的热稳定性和可靠性,适用于苛刻的工业环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 180A 250V PLUS247MOSFET 180A 250V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 180 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFX180N25TGigaMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFX180N25T |
| Pd-PowerDissipation | 1.39 kW |
| Pd-功率耗散 | 1.39 kW |
| Qg-GateCharge | 345 nC |
| Qg-栅极电荷 | 345 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12.9 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 28 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 28000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 345nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12.9 毫欧 @ 60A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PLUS247™-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 1390W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 7.300 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | GigaMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 12.9 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | PLUS 247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 180 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 180A (Tc) |
| 系列 | IXFX180N25 |
| 通道模式 | Enhancement |