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Datasheet下载- 型号： SIS488DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIS488DN-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS488DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS488DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS488DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 40V 40A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS488DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS488DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIS488DN-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型DFN1010封装，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括移动通信设备（如智能手机和平板电脑）中的电源管理与负载开关，用于高效控制电池供电路径，降低功耗并提升能效。该器件也广泛应用于笔记本电脑、可穿戴设备和物联网终端中的DC-DC转换电路，作为同步整流或电压调节模块的一部分，实现低导通电阻和快速开关响应。此外，SIS488DN-T1-GE3因其高集成度和优良热性能，常被用于热插拔电路和过流保护设计，确保系统在带电插拔时的安全稳定运行。其无铅环保设计符合RoHS标准，适合对环保要求较高的消费类电子产品。总体而言，该MOSFET凭借小尺寸、低阈值电压和优异的开关特性，成为现代高密度、低功耗电子系统中理想的功率开关元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 40A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | SIS488DN-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS488DN-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 40A （Tc） |
