Datasheet下载- 型号： SI3443BDV-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3443BDV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3443BDV-T1-E3价格参考。VishaySI3443BDV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3443BDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3443BDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3443BDV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理：该器件适用于 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、电压调节模块（VRM）以及负载点（POL）转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动：在小型电机控制和驱动电路中，SI3443BDV-T1-E3 可用作开关元件，支持高效且可靠的电流切换操作。 3. 电池保护与管理：此 MOSFET 常用于锂离子电池组的充放电保护电路中，通过快速响应过流或短路情况来保障系统安全。 4. 负载开关：作为高性能负载开关使用时，它能实现对下游电路供电路径的有效控制，同时减少静态电流消耗。 5. 信号切换：可用于音频设备或其他需要高频信号切换的应用场合，提供低失真和高保真的性能表现。 6. 汽车电子：满足车载信息系统、娱乐系统及辅助驾驶功能中的各种开关需求，符合严格的汽车级可靠性标准。 7. 消费类电子产品：广泛应用于智能手机充电器、平板电脑适配器、笔记本电脑等便携式设备内部的电源转换与管理模块。 总之，凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式，SI3443BDV-T1-E3 成为众多低电压、大电流应用的理想选择，在确保高效能量传输的同时，还能保持较小的体积占用空间。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOPMOSFET 20V 4.4A 2W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72749 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3443BDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3443BDV-T1-E3SI3443BDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1.1 W |
| Pd-功率耗散 | 1.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 60 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 60 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3443BDV-T1-E3TR |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3443BDV-E3 |
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