Datasheet下载- 型号： PSMN7R0-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN7R0-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN7R0-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN7R0-100PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN7R0-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN7R0-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN7R0-100PS,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 7.0 mΩ @ VGS = 10 V，6.5 mΩ @ VGS = 4.5 V）、高电流能力（ID = 100 A）和优良的开关性能。其主要应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：适用于 DC-DC 降压转换器、同步整流器及服务器/通信设备中的 POL（Point-of-Load）电源模块，凭借低 RDS(on) 减小导通损耗，提升效率。 - 电机驱动：广泛用于工业 BLDC 电机控制器、电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）的 H 桥或半桥驱动电路，支持 4.5 V 逻辑电平直接驱动，简化栅极驱动设计。 - 负载开关与电源管理：在服务器主板、工控板卡中用作高电流主电源开关（如 12 V/48 V 系统），实现热插拔保护、电源时序控制和过流防护。 - 电池管理系统（BMS）：适用于电动自行车、储能系统中的充放电主回路开关，具备较强雪崩耐量（EAS = 520 mJ），提升系统鲁棒性。 该器件符合 AEC-Q101（部分批次），亦可用于车规级辅助系统（如车身控制模块），但需确认具体批次认证状态。其 TO-220 封装便于散热与量产装配，适合中高功率（≤500 W）连续工作场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN7R0-100PS,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6686pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-4971-5 |
| 功率-最大值 | 269W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
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