Datasheet下载- 型号： PSMN3R3-80BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R3-80BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R3-80BS,118价格参考￥5.78-￥5.78。NXP SemiconductorsPSMN3R3-80BS,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R3-80BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R3-80BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R3-80BS,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：80 V 漏源电压（VDS）、典型导通电阻 RDS(on) 仅 3.3 mΩ（VGS = 10 V），连续漏极电流达 120 A（Tc = 25°C），具备低开关损耗与高功率密度特性。 该器件广泛应用于中高压、大电流、高效率的电源管理场景，典型应用包括： ✅ DC-DC 降压转换器（Buck Converter）：作为同步整流开关，显著提升服务器/通信电源、工业电源模块（如 48 V 输入系统）的转换效率； ✅ 电机驱动电路：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制（如电动工具、风机、泵类），支持高频 PWM 驱动与快速关断； ✅ 热插拔（Hot-swap）与电子保险丝（eFuse）：凭借低 RDS(on) 和强雪崩耐量，可实现过流/短路保护及软启动功能； ✅ LED 驱动电源：用于恒流调光控制或大功率 LED 阵列的开关调节； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电主回路的高侧/低侧开关，支持 48 V 锂电系统（如轻型电动车、储能单元）。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) 低至 1.0–2.1 V，10 V 栅压即可充分导通）兼容 3.3 V/5 V MCU 或栅极驱动 IC，简化外围设计；LFPAK56 封装具备优异热性能与PCB散热能力，适合紧凑型高功率密度布局。 综上，该MOSFET适用于对效率、热管理及可靠性要求严苛的工业、通信与消费类中功率电源与驱动系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 80V 120A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R3-80BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R3-80BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8161pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 111nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9478-6 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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