Datasheet下载- 型号： PSMN3R3-80BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R3-80BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R3-80BS,118价格参考￥5.78-￥5.78。NXP SemiconductorsPSMN3R3-80BS,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R3-80BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R3-80BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R3-80BS,118 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力的特点。以下是其主要应用场景：
1. 电源管理
- PSMN3R3-80BS,118 的低导通电阻（典型值为 3.3 mΩ）使其非常适合用于高效能的电源管理系统。例如：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC 转换器
- 电压调节模块（VRM）
2. 电机驱动
- 由于其能够承受较高的电流（最大连续漏极电流可达 154 A），这款 MOSFET 可用于驱动中小型电机，包括：
- 无刷直流电机（BLDC）
- 步进电机
- 直流有刷电机
3. 负载开关
- 在需要快速开启或关闭负载的情况下，PSMN3R3-80BS,118 的低导通电阻可以减少功率损耗，适用于以下场景：
- USB 充电端口控制
- 热插拔保护电路
4. 电池管理系统 (BMS)
- 该 MOSFET 可用作电池系统的充放电开关，确保高效的能量传输并保护电池免受过流或短路的影响。
5. 汽车电子
- 在汽车行业中，PSMN3R3-80BS,118 可应用于：
- 电动助力转向系统（EPS）
- 电动车窗、座椅调节等辅助系统
- LED 照明驱动
6. 工业自动化
- 在工业领域，这款 MOSFET 可用于控制各种设备的电源开关和信号传输，如：
- 工业机器人驱动
- PLC（可编程逻辑控制器）中的负载控制
7. 消费电子产品
- 该器件也可用于消费电子产品中，例如：
- 笔记本电脑适配器
- 游戏机电源模块
- 高性能音频放大器
总之，PSMN3R3-80BS,118 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛适用于需要高效功率转换和控制的各种应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 80V 120A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R3-80BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R3-80BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8161pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 111nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9478-6 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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