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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF8N60CFT由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF8N60CFT价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF8N60CFT封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF8N60CFT参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF8N60CFT 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF8N60CFT 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括以下方面: 1. 开关电源 (SMPS): FQPF8N60CFT 的高电压耐受能力(600V 额定击穿电压)和低导通电阻(典型值为 0.5 Ω)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。它能够高效地控制电流的通断,适用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器。 2. 电机驱动: 在工业控制和家用电器中,该器件可用于驱动中小型电机。例如,它可以作为 H 桥电路的一部分,用于控制直流电机的正反转或速度调节。 3. 逆变器: 在光伏逆变器或其他类型的电力逆变器中,FQPF8N60CFT 可用作功率级开关,将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换。 4. 负载切换与保护: 由于其高耐压特性和良好的热稳定性,该 MOSFET 可用于各种负载切换场景,如汽车电子、消费电子产品中的过流保护和短路保护电路。 5. 电磁阀控制: 在需要高电压驱动的电磁阀应用中,FQPF8N60CFT 可以提供稳定的电流控制,确保电磁阀的可靠运行。 6. 电池管理系统 (BMS): 在电池充放电管理中,这款 MOSFET 可用于电池组的开关控制,帮助实现过充、过放和短路保护功能。 7. 照明系统: 在 LED 照明和其他高压照明应用中,FQPF8N60CFT 可用作驱动器开关,实现恒流控制和调光功能。 总结来说,FQPF8N60CFT 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,广泛应用于电力电子领域,特别是在需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6.26A TO-220FMOSFET N-CH/600V/6.26 A QFET C-Series |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.26 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.26 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQPF8N60CFTFRFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQPF8N60CFT |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 60.5 ns |
| 下降时间 | 64.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1255pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.5 欧姆 @ 3.13A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 典型关闭延迟时间 | 81 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.270 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 8.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.26A (Tc) |
| 系列 | FQPF8N60C |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |