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Datasheet下载- 型号： SI4126DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI4126DY-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4126DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4126DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4126DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 30V 39A (Tc) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Surface Mount 8-SO。您可以下载SI4126DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4126DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4126DY-T1-GE3 是一款N沟道增强型MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和优良的热性能，适用于多种电源管理与功率控制场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的DC-DC转换器，实现高效的电压调节和能量转换。 2. 负载开关：在电池供电系统中作为负载开关，控制电源通断，降低待机功耗，延长电池寿命。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，尤其在空间受限的消费类电子产品中表现优异。 4. 热插拔电路：用于防止电路板带电插拔时产生的浪涌电流，保护系统稳定运行。 5. LED驱动：在背光或照明应用中作为开关元件，实现精确的电流控制。 6. 适配器与充电器：应用于AC-DC电源适配器、USB充电模块等，提升整体能效。 SI4126DY-T1-GE3 采用小型SOT-23封装，节省PCB空间，适合高密度布局的便携设备。其高可靠性与稳定性也使其在工业控制、通信模块和消费类电子产品中广泛应用。总体而言，该MOSFET是一款高效、紧凑的功率开关解决方案，特别适用于对尺寸和能效有较高要求的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOICMOSFET 30V 39A 7.8W 2.75mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 39 A |
| Id-连续漏极电流 | 39 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4126DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4126DY-T1-GE3SI4126DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4405pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.75 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4126DY-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 53 ns |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 75 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 39A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SI4126DY-GE3 |
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