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Datasheet下载- 型号： FDM3622
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDM3622产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDM3622由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDM3622价格参考。Fairchild SemiconductorFDM3622封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 4.4A（Ta） 2.1W（Ta） 8-MLP（3.3x3.3）。您可以下载FDM3622参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDM3622 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDM3622是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款MOSFET器件，属于功率场效应晶体管（FET）中的单管结构。该器件通常采用双MOSFET封装形式（例如包含一个N沟道和一个P沟道MOSFET），适用于需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的电源管理应用。 FDM3622的典型应用场景包括： 1. 电源管理模块：用于DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）中，实现高效的能量转换。 2. 负载开关控制：在笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式电子产品中，作为负载开关来控制电源分配。 3. 马达驱动电路：用于小型电机或步进电机的驱动控制，提供快速开关和低损耗特性。 4. 电池管理系统：在电池充放电保护电路中作为开关元件使用。 5. 通信设备：应用于网络设备、路由器和交换机中的电源管理和信号切换。 6. 汽车电子系统：如车载充电器、车身控制模块等对空间和效率有要求的应用场景。 该器件具有低导通电阻、高频率响应和良好的热性能，适合高频开关和节能设计，广泛应用于消费类电子、工业控制和汽车电子领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 4.4A 8MLP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | FDM3622 |
| PCN设计/规格 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1090pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-MLP（3.3x3.3） |
| 其它名称 | FDM3622CT |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.4A （Ta） |
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