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  • 型号: IXFT60N50P3
  • 制造商: IXYS
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IXFT60N50P3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXFT60N50P3由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFT60N50P3价格参考。IXYSIXFT60N50P3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 500V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-268。您可以下载IXFT60N50P3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFT60N50P3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 500V 60A TO268MOSFET 500V 60A 0.1Ohm PolarP3 Power MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

IXYS

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXFT60N50P3Polar3™ HiPerFET™

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产品型号

IXFT60N50P3

Pd-PowerDissipation

1040 W

Pd-功率耗散

1040 W

Qg-GateCharge

96 nC

Qg-栅极电荷

96 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

100 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

100 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

5 V

上升时间

16 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 4mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

6250pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

96nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 30A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-268

功率-最大值

1040W

包装

管件

商标

IXYS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA

封装/箱体

TO-268-2

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

标准包装

30

正向跨导-最小值

60 S, 35 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

系列

IXFT60N50

配置

Single

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