Datasheet下载- 型号： FQA34N20
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQA34N20由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQA34N20价格参考。Fairchild SemiconductorFQA34N20封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQA34N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQA34N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQA34N20 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) - FQA34N20 的耐压值为 200V，适合用于开关电源中的高频开关应用。它可以在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路中作为主开关或同步整流元件。 2. 电机驱动 - 该 MOSFET 可用于低功耗电机驱动电路，例如小型直流电机、步进电机或伺服电机的控制。其低导通电阻（Rds(on) 典型值为 0.34Ω）有助于减少能量损耗并提高效率。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，FQA34N20 可以用作开关元件，将直流电转换为交流电。其高耐压特性使其能够承受逆变器工作时的电压波动。 4. 负载开关 - 由于其低导通电阻和快速开关速度，FQA34N20 适用于负载开关应用，例如在消费电子设备中动态管理电源分配，降低待机功耗。 5. 保护电路 - 该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护或反向电压保护电路中。通过结合栅极驱动信号，它可以迅速切断异常电流路径，保护下游电路。 6. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中，FQA34N20 可作为输出级开关元件，提供高效的能量传输并减少失真。 7. 电池管理系统 (BMS) - 在电动汽车、电动工具或便携式设备的电池管理系统中，该 MOSFET 可用于电池充放电控制和均衡电路。 8. 照明驱动 - 适用于 LED 照明驱动电路，尤其是在需要高效率和高可靠性的场景下，如工业照明或户外照明。 总结 FQA34N20 的主要优势在于其高耐压能力、低导通电阻和出色的热性能，这些特点使其非常适合需要高效能和高可靠性的电力电子应用。具体选择时需根据实际电路需求考虑其额定电流（Id）、栅极驱动电压及散热设计等因素。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 34A TO-3P |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQA34N20 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 78nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 17A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3P |
| 功率-最大值 | 210W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 标准包装 | 450 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 34A （Tc） |
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