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  • 型号: SI4483ADY-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SI4483ADY-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI4483ADY-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4483ADY-T1-GE3价格参考。VishaySI4483ADY-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 19.2A(Tc) 2.9W(Ta),5.9W(Tc) 8-SO。您可以下载SI4483ADY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4483ADY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 19.2A 8-SOICMOSFET 30V 19.2A 5.9W 8.8mohm @ 10V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

13.5 A

Id-连续漏极电流

13.5 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4483ADY-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SI4483ADY-T1-GE3SI4483ADY-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

2.9 W

Pd-功率耗散

2.9 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

13 ns, 150 ns

下降时间

13 ns, 28 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.6V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3900pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

135nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.8 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

SI4483ADY-T1-GE3TR
SI4483ADYT1GE3

典型关闭延迟时间

49 ns, 43 ns

功率-最大值

5.9W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8 Narrow

工厂包装数量

2500

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19.2A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

零件号别名

SI4483ADY-GE3

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