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  • 型号: IRFP4768PBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4768PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4768PBF价格参考。International RectifierIRFP4768PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP4768PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP4768PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFP4768PBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):  
   IRFP4768PBF适用于各种开关电源设计,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。由于其低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,能够高效地进行电力转换,减少能量损耗。

2. 电机驱动:  
   该器件可用于驱动中小型直流电机或步进电机。其高击穿电压(Vds = 100V)和大电流容量(Id = 50A)使其适合于需要较高功率输出的电机控制应用。

3. 逆变器:  
   在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFP4768PBF可以作为开关元件使用,实现高效的直流到交流转换。

4. 电池管理系统(BMS):  
   用于保护电池组免受过流、短路等问题的影响。MOSFET在此类系统中充当电子开关,快速响应异常情况以确保安全。

5. 负载切换与保护电路:  
   在需要频繁开启/关闭负载的应用中,如汽车电子设备或家用电器,这款MOSFET可提供稳定可靠的切换功能,并具备良好的热性能以应对长时间工作。

6. 音频功率放大器:  
   在某些高保真音响系统中,IRFP4768PBF可以用作输出级晶体管,提供强大的电流驱动能力,同时保持较低的失真度。

综上所述,IRFP4768PBF凭借其出色的电气特性,在工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域均有广泛的应用潜力。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 250V 93A TO-247ACMOSFET MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

93 A

Id-连续漏极电流

93 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4768PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFP4768PBF

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

520 W

Pd-功率耗散

520 W

Qg-GateCharge

180 nC

Qg-栅极电荷

180 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

17.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

250 V

Vds-漏源极击穿电压

250 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

160 ns

下降时间

110 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10880pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

270nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17.5 毫欧 @ 56A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AC

典型关闭延迟时间

57 ns

功率-最大值

520W

功率耗散

520 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

17.5 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

180 nC

标准包装

25

正向跨导-最小值

100 S

汲极/源极击穿电压

250 V

漏极连续电流

93 A

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

93A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp4768pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp4768pbf.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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