| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP4768PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP4768PBF价格参考。International RectifierIRFP4768PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP4768PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP4768PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFP4768PBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): IRFP4768PBF适用于各种开关电源设计,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。由于其低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力,能够高效地进行电力转换,减少能量损耗。 2. 电机驱动: 该器件可用于驱动中小型直流电机或步进电机。其高击穿电压(Vds = 100V)和大电流容量(Id = 50A)使其适合于需要较高功率输出的电机控制应用。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFP4768PBF可以作为开关元件使用,实现高效的直流到交流转换。 4. 电池管理系统(BMS): 用于保护电池组免受过流、短路等问题的影响。MOSFET在此类系统中充当电子开关,快速响应异常情况以确保安全。 5. 负载切换与保护电路: 在需要频繁开启/关闭负载的应用中,如汽车电子设备或家用电器,这款MOSFET可提供稳定可靠的切换功能,并具备良好的热性能以应对长时间工作。 6. 音频功率放大器: 在某些高保真音响系统中,IRFP4768PBF可以用作输出级晶体管,提供强大的电流驱动能力,同时保持较低的失真度。 综上所述,IRFP4768PBF凭借其出色的电气特性,在工业控制、消费电子、通信设备以及汽车电子等领域均有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 93A TO-247ACMOSFET MOSFT 250V 83A 21mOhm 195nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 93 A |
| Id-连续漏极电流 | 93 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP4768PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFP4768PBF |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 520 W |
| Pd-功率耗散 | 520 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 160 ns |
| 下降时间 | 110 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10880pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 270nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17.5 毫欧 @ 56A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |
| 典型关闭延迟时间 | 57 ns |
| 功率-最大值 | 520W |
| 功率耗散 | 520 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 17.5 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 180 nC |
| 标准包装 | 25 |
| 正向跨导-最小值 | 100 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 250 V |
| 漏极连续电流 | 93 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 93A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfp4768pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfp4768pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |