ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > FDC5614P_D87Z
Datasheet下载- 型号： FDC5614P_D87Z
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDC5614P_D87Z由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDC5614P_D87Z价格参考。Fairchild SemiconductorFDC5614P_D87Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 3A（Ta） 1.6W（Ta） SuperSOT™-6。您可以下载FDC5614P_D87Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDC5614P_D87Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDC5614P_D87Z是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品、电源管理电路和负载开关等。 该器件常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等移动设备中的电池供电管理与电源切换，因其低导通电阻（RDS(on)）和小封装尺寸，有助于提高能效并节省PCB空间。此外，它也适用于DC-DC转换器中的同步整流环节，提升电源转换效率。 FDC5614P_D87Z还适合用于LED驱动电路和小型电机控制，凭借快速的开关特性和良好的热稳定性，可实现精确的电流控制与系统保护。在消费类电子产品的接口保护电路（如USB端口过流保护）中，该MOSFET也可作为理想的开关元件。 由于采用先进的沟槽技术，该器件具备较低的栅极电荷和输入电容，有利于降低开关损耗，适用于高频开关应用。其SOT-363（SC-88）小尺寸封装，特别适合对空间要求严格的高密度电路设计。 综上所述，FDC5614P_D87Z凭借高效、小型化和可靠的特点，广泛应用于便携设备电源管理、DC-DC转换、LED驱动及各类低电压开关控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDC5614P_D87Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 759pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 105 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-SSOT |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
