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STP40NF10L产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP40NF10L由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP40NF10L价格参考¥4.36-¥5.92。STMicroelectronicsSTP40NF10L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 40A(Tc) 150W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP40NF10L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP40NF10L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP40NF10L是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),其应用场景广泛,尤其适用于需要高效、低损耗功率转换和开关控制的场合。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理 STP40NF10L常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够提供高效的功率转换,降低能量损耗,特别适合需要高效率和低发热的应用。例如,在笔记本电脑充电器、手机快充适配器等设备中,STP40NF10L可以作为主开关管或同步整流管,提升系统的整体性能。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中,STP40NF10L可以用于控制电机的启动、停止和调速。它具有较低的导通电阻(Rds(on)),能够减少功率损耗,提高电机的效率。常见的应用场景包括电动工具、家用电器(如吸尘器、洗衣机)中的无刷直流电机(BLDC)驱动电路,以及工业自动化中的伺服电机控制系统。 3. 电池管理系统(BMS) STP40NF10L也可用于电池管理系统的保护电路中,特别是在锂离子电池组中。它可以作为充电和放电路径的开关,确保电池在过充、过放、短路等异常情况下的安全。通过快速响应和低导通损耗,STP40NF10L有助于延长电池寿命并提高系统的可靠性。 4. 负载开关 在消费电子和工业设备中,STP40NF10L可以用作负载开关,控制不同模块或组件的供电状态。它能够实现快速切换,并且由于其低导通电阻,可以在大电流条件下保持较低的温升,确保系统稳定运行。典型应用包括智能手机、平板电脑、智能手表等便携式设备中的电源管理单元。 5. 逆变器与UPS STP40NF10L还适用于逆变器和不间断电源(UPS)系统中,尤其是在需要高效逆变和稳压的场合。它可以作为逆变器的核心功率开关器件,帮助将直流电转换为交流电,同时保证输出电压的稳定性。此外,它还可以用于UPS中的电池充放电控制电路,确保电力供应的连续性和安全性。 总之,STP40NF10L凭借其优异的电气特性,广泛应用于各类功率管理和控制领域,特别是在需要高效、可靠和低损耗的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 40A TO-220MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
| Id-连续漏极电流 | 40 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP40NF10LSTripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP40NF10L |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 17 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 17 V |
| 上升时间 | 82 ns |
| 下降时间 | 24 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 33 毫欧 @ 20A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-6741-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1165/PF64736?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 64 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.438 g |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
| 系列 | STP40NF10L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |