Datasheet下载- 型号： IPD04N03LB G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD04N03LB G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD04N03LB G价格参考。InfineonIPD04N03LB G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD04N03LB G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD04N03LB G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IPD04N03LB G 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于 FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： IPD04N03LB G 适用于各种开关电源设计，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。其低导通电阻（Rds(on)）和优化的开关特性使其能够在高频条件下高效运行，减少能量损耗。 2. 电机驱动： 该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，适合需要高效功率控制的应用场景，如家用电器、电动工具和工业自动化设备。 3. 电池管理： 在电池管理系统 (BMS) 中，IPD04N03LB G 可作为充放电路径上的开关元件，帮助实现过流保护、短路保护以及精确的电流控制。 4. 负载切换与保护： 它可用于负载切换应用，例如汽车电子系统中的继电器替代方案，或者消费电子产品中的负载保护电路，确保系统的稳定性和安全性。 5. 通信设备： 在通信基础设施中，这款 MOSFET 可以用作信号放大器的偏置控制或射频 (RF) 功率放大器的电源管理组件。 6. LED 驱动： 对于高亮度 LED 照明应用，IPD04N03LB G 提供了高效的电流调节能力，支持恒流驱动和调光功能。 7. 可再生能源系统： 在太阳能逆变器或风能转换系统中，该器件可以参与功率转换过程，提高整体效率并降低热损耗。 总结来说，IPD04N03LB G 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子及绿色能源等领域，特别是在需要高效功率转换和低功耗解决方案的地方表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 50A TO-252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD04N03LB_v1.7_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429f1cc4269 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD04N03LB G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 70µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5200pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.1 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD04N03LBG |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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