Datasheet下载- 型号： SI3483DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3483DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3483DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3483DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3483DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3483DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3483DV-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于需要高效、低损耗开关性能的电子电路中。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好的热稳定性，适用于多种电源管理和功率控制场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关等电路中，提升能效并减小系统功耗。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式充电设备中的电源开关与保护电路。 3. 电机驱动：在小型电机或步进电机驱动电路中作为功率开关使用。 4. LED 照明：用于 LED 驱动电路中的 PWM 控制开关，实现调光功能。 5. 工业自动化：在 PLC、继电器替代电路及自动控制系统中用于高速开关操作。 6. 汽车电子：如车载充电系统、LED 灯具和车身控制模块中，满足对可靠性和效率的高要求。 SI3483DV-T1-GE3 采用小型封装（如 TSOP），适合空间受限的设计，同时具备较强的电流承载能力，是一款性价比高且应用广泛的 MOSFET 器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3483DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 6.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.7A （Ta） |
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