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- 型号： IRF7326D2TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7326D2TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7326D2TRPBF价格参考。International RectifierIRF7326D2TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF7326D2TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7326D2TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF7326D2TRPBF的晶体管属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单个MOSFET器件。该器件通常用于功率开关应用，具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，适合高效率和高频率的工作环境。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提升电源转换效率。 2. 电机驱动：适用于小型电机或步进电机的控制，常见于工业自动化设备和机器人系统。 3. 电池供电设备：如便携式电子设备、电动工具和无人机，用于高效能电池管理系统。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明驱动或车身控制模块，符合汽车级可靠性要求。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、充电器和适配器中，用于功率控制和节能设计。 该MOSFET采用表面贴装封装（如SO-8），体积小巧，适合高密度PCB布局，广泛应用于中小型功率场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.6A 100mOhm 16.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 3.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 3.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7326D2TRPBFFETKY™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7326D2TRPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 16.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 16.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 160 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 160 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 1.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7326D2TRPBF-ND |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.6A （Ta） |
| 配置 | Single with Schottky Diode |
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