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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF4N20L由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF4N20L价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF4N20L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF4N20L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF4N20L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF4N20L 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET/MOSFET - 单一类别。其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 开关电源(SMPS) FQPF4N20L 适用于开关电源中的高频开关应用。其 200V 的漏源极击穿电压使其能够承受较高的电压,适合用于工业或消费类电子设备中的 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器。 2. 电机驱动 在小型电机驱动电路中,该 MOSFET 可用作功率开关。由于其低导通电阻(典型值为 1.5Ω),可以有效减少功耗并提高效率,适用于家用电器、电动工具等场景。 3. 逆变器 该器件可用于光伏逆变器或其他类型的逆变器中,作为功率级开关元件。其高耐压特性和良好的动态性能使其能够在逆变器的高频切换过程中保持稳定运行。 4. 负载开关 在需要高效负载控制的应用中,FQPF4N20L 可用作负载开关,实现对电路的快速开启和关闭。例如,在电池管理系统(BMS)中,它可以保护电路免受过流或短路的影响。 5. 继电器替代方案 由于其快速开关速度和可靠性,FQPF4N20L 可以替代传统机械继电器,用于需要频繁切换的电路中,如汽车电子、照明控制等。 6. 保护电路 在过流保护或短路保护电路中,这款 MOSFET 可用作关键的开关元件。通过结合外部检测电路,它可以快速响应异常情况并切断电流路径。 总结来说,FQPF4N20L 凭借其高耐压能力、低导通电阻和良好的开关特性,广泛应用于各种功率电子设备中,特别是在需要高效能、小体积和高可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 3A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF4N20L |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.2nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.35 欧姆 @ 1.5A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 27W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A (Tc) |