Datasheet下载- 型号： IRLR7833TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR7833TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR7833TRLPBF价格参考。International RectifierIRLR7833TRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRLR7833TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLR7833TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRLR7833TRLPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： IRLR7833TRLPBF具有低导通电阻（典型值为3.5 mΩ），非常适合用于高效能的DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电池管理系统中，以降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动： 该器件适用于小型直流电机或无刷直流电机（BLDC）的驱动电路，能够提供高效的电流控制和快速的开关性能，适合消费电子、家用电器及工业自动化中的电机应用。 3. 负载切换： 在需要频繁切换负载的应用中，如USB充电器、笔记本电脑适配器或汽车电子系统中，IRLR7833TRLPBF可以作为理想的负载开关元件，确保低损耗和高可靠性。 4. 电池保护： 它可用于锂电池或其他可充电电池组的保护电路中，通过快速响应过流或短路情况来保障电池安全。 5. 通信设备： 在基站、路由器和其他通信设备中，该MOSFET可用于信号调节、功率分配和热插拔保护等场景，支持稳定的电信号传输。 6. 汽车电子： IRLR7833TRLPBF符合AEC-Q101标准，适用于汽车级应用，例如车载信息娱乐系统、电动助力转向（EPS）、制动系统和LED照明驱动等。 综上所述，IRLR7833TRLPBF凭借其低导通电阻、高电流处理能力和优异的热性能，在消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域有着广泛的应用前景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 140A DPAKMOSFET MOSFT 30V 140A 4.5mOhm 38nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 140 A |
| Id-连续漏极电流 | 140 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLR7833TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLR7833TRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6.9 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4010pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 140A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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