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Datasheet下载- 型号： IRF540NSPBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF540NSPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF540NSPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF540NSPBF价格参考。International RectifierIRF540NSPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， N-Channel 100V 33A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount D2PAK。您可以下载IRF540NSPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF540NSPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF540NSPBF 是一款N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效开关和中高功率处理的场景。其典型应用场景包括：直流电机控制，如电动工具、电动车和工业设备中的电机驱动；电源管理系统，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和UPS不间断电源，因其低导通电阻（约44mΩ）可减少能量损耗，提升效率；逆变器系统，用于太阳能逆变器或车载逆变器中实现直流转交流；以及照明控制，如大功率LED驱动电路。此外，该器件也适用于继电器或电磁阀的驱动电路，作为高速电子开关使用。IRF540NSPBF采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合工业环境和汽车辅助系统。其100V耐压和高达33A的连续漏极电流能力，使其在中等功率应用中表现优异。同时，该型号符合RoHS标准，为无铅产品，适用于环保要求较高的电子产品制造。总体而言，IRF540NSPBF是一款性能稳定、通用性强的功率MOSFET，适用于多种需要高效、可靠开关控制的电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 44mOhms 47.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
| Id-连续漏极电流 | 33 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF540NSPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF540NSPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.8 W |
| Pd-功率耗散 | 3.8 W |
| Qg-GateCharge | 47.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 47.3 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 44 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 44 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 44 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF540NSPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 39 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 功率耗散 | 3.8 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 44 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 47.3 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 21 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 33 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf540ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf540ns.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
