Datasheet下载- 型号： SSM6K202FE,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6K202FE,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6K202FE,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6K202FE,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6K202FE,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6K202FE,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM6K202FE,LF 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于 P 沟道 MOSFET，常用于低电压、中等电流的开关应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于电池供电设备中的负载开关控制，如笔记本电脑、平板电脑和移动设备中的电源切换。 2. DC-DC 转换器：在同步整流型 DC-DC 转换器中作为高边开关使用，提高转换效率。 3. 电机驱动与继电器驱动：用于小功率电机或继电器的开关控制，实现快速响应和低导通损耗。 4. 工业自动化设备：作为小型控制器或PLC中的开关元件，控制传感器、执行器等外围设备。 5. 汽车电子系统：如车载娱乐系统、车身控制模块等对空间和功耗有要求的场合。 该器件采用小型封装（如 Supermini 或 TSON），适合高密度 PCB 设计，并具备良好的热稳定性和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH SGL 30V 2.3A ES6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6K202FE点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM6K202FE,LF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 270pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 1.5A，4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | ES6（1.6x1.6） |
| 其它名称 | SSM6K202FE(TE85LFDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.3A （Ta） |
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