Datasheet下载- 型号： DMN3065LW-13
- 制造商： Diodes Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN3065LW-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN3065LW-13价格参考。Diodes Inc.DMN3065LW-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN3065LW-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN3065LW-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN3065LW-13是一款P沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制和小型化设计的场景。该器件采用高性能Trench MOS工艺，具有低导通电阻、优良的热稳定性和高可靠性，适用于电源管理、负载开关、马达驱动及电池供电设备等场合。 具体应用包括： 1. 电源管理系统：用于DC-DC转换器、同步整流器中，提升能效并减小电路体积。 2. 负载开关：作为电子开关控制外围设备的供电，如USB接口电源控制、传感器或显示屏背光的启停。 3. 电机驱动电路：在小型直流电机或步进电机控制中作为功率开关使用。 4. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中用于节能设计与功率调节。 5. 工业自动化与通信设备：用于各类需要高可靠性和高效率的控制模块中。 其SOT26封装适合表面贴装，节省PCB空间，适合高密度布局，适用于消费类电子产品及工业级应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 4A SOT323 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMN3065LW-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 465pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 52 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 其它名称 | DMN3065LW-13DIDKR |
| 功率-最大值 | 770mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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