Datasheet下载- 型号： BUK6207-55C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6207-55C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6207-55C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK6207-55C,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK6207-55C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK6207-55C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的BUK6207-55C,118是一款单N沟道增强型MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等，因其高效率和低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于提升整体能效并减少发热。 2. 电机驱动：可用于电动工具、风扇、泵等小型电机的驱动电路，具备较高的开关速度和耐压能力，能有效控制电机的启停与调速。 3. 负载开关：作为高效电子开关，控制电源对负载的供电，常见于服务器、工业控制系统和消费电子产品中，实现快速响应与低功耗管理。 4. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制，具备良好的热稳定性和过载保护能力，保障电池使用安全。 5. 照明系统：如LED驱动电路，可提供稳定电流控制，支持调光功能，适用于智能照明和车载照明应用。 该器件采用小型化封装（如LFPAK），具备良好的热性能和可靠性，适合高密度PCB布局，广泛用于工业、汽车及消费类电子产品中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH DPAKMOSFET N-CHAN 55V 81A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 90 A |
| Id-连续漏极电流 | 90 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6207-55C,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK6207-55C,118 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 128 W |
| Pd-功率耗散 | 128 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.8 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-6978-6 |
| 功率-最大值 | 158W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 90A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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