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产品简介:
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NTLUS3A18PZTBG 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,主要应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和优良的热性能,适合用于电源管理、负载开关、电机控制和电池供电设备中。 常见应用场景包括: 1. 电源管理系统:如DC-DC转换器、电压调节模块,用于提高能效和减小系统功耗; 2. 负载开关电路:用于控制电源到外设的通断,如在笔记本电脑、平板和智能手机中控制USB端口供电; 3. 电机驱动与继电器替代:在工业控制和自动化设备中,作为高可靠性开关元件; 4. 电池供电设备:如便携式电子设备、电动工具和无人机,用于延长电池续航时间; 5. 汽车电子系统:包括车载充电系统、车身控制模块等,满足汽车环境对可靠性和稳定性的要求。 该MOSFET采用小型封装,适合高密度PCB布局,广泛适用于消费类电子、工业控制和汽车应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 8.2A 6UDFN |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTLUS3A18PZTBG |
PCN设计/规格 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | µCool™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2240pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 18 毫欧 @ 7A,4.5V |
供应商器件封装 | 6-UDFN (2x2) |
功率-最大值 | 700mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.1A (Ta) |