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Datasheet下载- 型号： FDD850N10LD
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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FDD850N10LD产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD850N10LD由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD850N10LD价格参考。Fairchild SemiconductorFDD850N10LD封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 15.3A（Tc） 42W（Tc） TO-252-5。您可以下载FDD850N10LD参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD850N10LD 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD850N10LD 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类器件。其应用场景广泛，主要适用于以下领域： 1. 开关电源 (SMPS)：FDD850N10LD 的高耐压能力（100V）和低导通电阻（典型值为 0.023Ω）使其非常适合用于开关电源中的功率开关，能够高效地控制电流的通断，减少能量损耗。 2. 电机驱动：该 MOSFET 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关来调节电机的速度和方向。其快速开关特性和低导通损耗有助于提高电机驱动效率。 3. 负载开关：在消费电子设备中，FDD850N10LD 可用作负载开关，用于动态控制不同电路模块的供电状态，从而实现节能和保护功能。 4. DC-DC 转换器：这款 MOSFET 常用于降压或升压 DC-DC 转换器中，作为主开关或同步整流元件，提供高效的电压转换能力。 5. 电池管理系统 (BMS)：在电池保护电路中，FDD850N10LD 可用于控制电池充放电回路的通断，确保电池的安全运行并防止过充或过放。 6. 工业自动化：在工业控制系统中，该 MOSFET 可用于驱动电磁阀、继电器或其他执行机构，满足工业环境对可靠性和效率的要求。 7. 汽车电子：尽管 FDD850N10LD 不是车规级产品，但在某些非关键车载应用中（如照明控制、风扇控制等），它也可以发挥作用。 总之，FDD850N10LD 凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于多种需要高效功率控制的场景，尤其适合中低功率应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 15.3A DPAKMOSFET 100V, 15.7A, 75mOhm N-Channel BoostPak |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 15.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 15.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD850N10LDPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD850N10LD |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 22.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1465pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28.9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252-5 |
| 其它名称 | FDD850N10LDCT |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 75 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD |
| 封装/箱体 | DPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 31 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 15.7 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15.7A （Tc） |
| 系列 | FDD850N10L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
