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产品简介:
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STMicroelectronics的STW200NF03是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和高效能特点,广泛应用于需要高效功率管理与转换的场景。 主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的电能转换和稳定输出。 2. 电机驱动:适用于工业自动化设备、电动工具及汽车电子中的电机控制电路,提供快速开关与过载保护。 3. 逆变器与变频器:在太阳能逆变器、UPS不间断电源及变频家电中,作为核心功率开关元件。 4. 汽车电子:如车载充电系统、电池管理系统(BMS)、起停系统等,满足汽车环境对可靠性和效率的高要求。 5. 工业控制:用于PLC、伺服驱动器等工业设备中的负载开关或高频开关应用。 其封装设计便于散热和安装,适合高密度电路布局,是高性能功率应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 120A TO-247 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STW200NF03 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | STripFET™ II |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10000pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 280nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.8 毫欧 @ 60A,10V |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
功率-最大值 | 350W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
标准包装 | 600 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |