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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT24P20由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT24P20价格参考。IXYSIXTT24P20封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTT24P20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT24P20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTT24P20是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的MOSFET单管器件。该型号具有200V的高击穿电压和较强的电流处理能力,适用于中高压功率应用场合。 其典型应用场景包括:工业控制设备中的电源开关模块、直流电机驱动电路、电池供电系统的电源管理与极性保护、高边或低边负载开关等。由于具备较高的耐压能力和良好的热稳定性,IXTT24P20也常用于开关电源(SMPS)、逆变器和UPS不间断电源系统中,作为关键的功率切换元件。 此外,该器件采用TO-220或类似封装,便于散热和安装,适合在较为严苛的工业环境中稳定运行。其快速开关特性有助于提升系统效率,减少能量损耗,因此在需要高效能、高可靠性的电力电子设备中表现优异。 总结来说,IXTT24P20主要应用于工业自动化、电源转换、电机控制及能源管理系统等对功率控制要求较高的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 200V 24A TO-268 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXTT24P20 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 110 毫欧 @ 500mA,10V |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 24A (Tc) |