ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQB5N90TM
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQB5N90TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N90TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N90TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N90TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 900V 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),158W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB5N90TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB5N90TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB5N90TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的应用场景分析: 1. 开关电源(SMPS) FQB5N90TM 的高电压耐受能力(900V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源的设计中,例如 AC-DC 转换器、反激式变换器和正激式变换器等。它能够在高压条件下稳定工作,确保高效的能量转换。 2. 电机驱动与控制 该器件适用于各种电机驱动应用,包括家用电器中的小型电机(如风扇、泵)以及工业设备中的直流电机控制。其低导通电阻(典型值为 1.4Ω @ VGS = 10V)有助于减少功率损耗并提高效率。 3. 电磁阀与继电器驱动 在需要高电压切换的场合下,FQB5N90TM 可以用作电磁阀或继电器的驱动元件。由于其具备良好的电气特性,能够可靠地控制这些负载的开启与关闭。 4. 太阳能逆变器 在光伏系统中,这款 MOSFET 可用于 MPPT(最大功率点跟踪)控制器或者微型逆变器电路中,帮助实现对太阳能电池板输出电压的有效调节。 5. 固态继电器(SSR) 利用其快速开关速度和低漏电流的特点,FQB5N90TM 可作为固态继电器的核心组件之一,提供更长寿命和更高可靠性的隔离式开关解决方案。 6. 过压保护电路 在某些保护性电子线路中,该型号可以用来构建过压保护机制,当检测到异常高的输入电压时迅速切断电路连接,从而保护下游敏感设备免受损害。 7. LED 照明驱动 对于高压 LED 灯串应用而言,FQB5N90TM 提供了一种高效且经济实惠的选择来管理电流流动,保证照明系统的正常运行。 总之,凭借其出色的性能参数(如高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性),FQB5N90TM 广泛应用于多种高压、大功率及要求高效率的电子产品领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAKMOSFET 900V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.4 A |
Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB5N90TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQB5N90TM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 3.13 W |
Pd-功率耗散 | 3.13 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 65 ns |
下降时间 | 50 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1550pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 欧姆 @ 2.7A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-263-2 |
其它名称 | FQB5N90TM-ND |
典型关闭延迟时间 | 65 ns |
功率-最大值 | 3.13W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 800 |
正向跨导-最小值 | 5.6 S |
漏源极电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A (Tc) |
系列 | FQB5N90 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | FQB5N90TM_NL |