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  • 型号: FQB5N90TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQB5N90TM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB5N90TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB5N90TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB5N90TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 900V 5.4A(Tc) 3.13W(Ta),158W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB5N90TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB5N90TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB5N90TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的应用场景分析:

1. 开关电源(SMPS)  
   FQB5N90TM 的高电压耐受能力(900V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源的设计中,例如 AC-DC 转换器、反激式变换器和正激式变换器等。它能够在高压条件下稳定工作,确保高效的能量转换。

2. 电机驱动与控制  
   该器件适用于各种电机驱动应用,包括家用电器中的小型电机(如风扇、泵)以及工业设备中的直流电机控制。其低导通电阻(典型值为 1.4Ω @ VGS = 10V)有助于减少功率损耗并提高效率。

3. 电磁阀与继电器驱动  
   在需要高电压切换的场合下,FQB5N90TM 可以用作电磁阀或继电器的驱动元件。由于其具备良好的电气特性,能够可靠地控制这些负载的开启与关闭。

4. 太阳能逆变器  
   在光伏系统中,这款 MOSFET 可用于 MPPT(最大功率点跟踪)控制器或者微型逆变器电路中,帮助实现对太阳能电池板输出电压的有效调节。

5. 固态继电器(SSR)  
   利用其快速开关速度和低漏电流的特点,FQB5N90TM 可作为固态继电器的核心组件之一,提供更长寿命和更高可靠性的隔离式开关解决方案。

6. 过压保护电路  
   在某些保护性电子线路中,该型号可以用来构建过压保护机制,当检测到异常高的输入电压时迅速切断电路连接,从而保护下游敏感设备免受损害。

7. LED 照明驱动  
   对于高压 LED 灯串应用而言,FQB5N90TM 提供了一种高效且经济实惠的选择来管理电流流动,保证照明系统的正常运行。

总之,凭借其出色的性能参数(如高耐压、低导通电阻和优异的热稳定性),FQB5N90TM 广泛应用于多种高压、大功率及要求高效率的电子产品领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 900V 5.4A D2PAKMOSFET 900V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.4 A

Id-连续漏极电流

5.4 A

品牌

Fairchild Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB5N90TMQFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQB5N90TM

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

3.13 W

Pd-功率耗散

3.13 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.3 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.3 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

900 V

Vds-漏源极击穿电压

900 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

65 ns

下降时间

50 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1550pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.3 欧姆 @ 2.7A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263-2

其它名称

FQB5N90TM-ND
FQB5N90TMTR

典型关闭延迟时间

65 ns

功率-最大值

3.13W

包装

带卷 (TR)

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

800

正向跨导-最小值

5.6 S

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.4A (Tc)

系列

FQB5N90

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

FQB5N90TM_NL

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