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FDMC7582产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC7582由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC7582价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC7582封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 25V 16.7A(Ta),49A(Tc) 2.3W(Ta),52W(Tc) Power33。您可以下载FDMC7582参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC7582 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC7582 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款MOSFET器件,属于功率场效应晶体管(FET),常用于高效率、高频开关应用中。该型号为单N沟道增强型MOSFET,封装形式为PowerT66,具备低导通电阻和高电流承载能力。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块中,以提高能效并减小体积。 2. 负载开关与电源分配:适用于服务器、通信设备及工业控制系统中的负载切换和电源管理。 3. 电机控制:可用于无刷直流电机或步进电机的驱动电路,实现高效调速与控制。 4. 电池管理系统(BMS):在电动汽车、储能系统中作为充放电控制开关使用。 5. LED照明驱动:在高亮度LED驱动电路中作为主开关元件,支持PWM调光等功能。 该器件凭借其高性能与可靠性,在需要高效能、紧凑设计的电子系统中具有广泛应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 16.7A 8-PQFNMOSFET PT5 100V/20V NCH POWERTRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 16.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC7582PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMC7582 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1795pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 16.7A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN(3.3X3.3),Power33 |
| 其它名称 | FDMC7582DKR |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 32.130 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | Power 33-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 16.7A (Ta), 49A (Tc) |
| 系列 | FDMC7582 |
| 配置 | Single |