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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK46E08N1,S1X由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK46E08N1,S1X价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK46E08N1,S1X封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK46E08N1,S1X参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK46E08N1,S1X 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK46E08N1,S1X 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具体为单N沟道增强型MOSFET。该器件广泛应用于中高功率的电子电路中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的电能转换。 2. 电机控制:在电动工具、家用电器(如风扇、洗衣机)中作为开关元件,控制电机的启停与调速。 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如LED照明、加热元件等。 4. 汽车电子:在车载电源系统、电池管理系统(BMS)中用于功率控制与保护。 5. 工业自动化:作为功率开关用于PLC、继电器驱动和工业控制设备中。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点,适合需要高效能与高可靠性的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N CH 80V 46A TO-220 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK46E08N1 |
产品图片 | |
产品型号 | TK46E08N1,S1X |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 500µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2500pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 37nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.4 毫欧 @ 23A,10V |
供应商器件封装 | TO-220-3 |
其它名称 | TK46E08N1S1X |
功率-最大值 | 103W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/toshiba-silicon-n-channel-mosfet/2550http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |