| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供RP1E090RPTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RP1E090RPTR价格参考。ROHM SemiconductorRP1E090RPTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载RP1E090RPTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RP1E090RPTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
RP1E090RPTR 是由罗姆半导体(Rohm Semiconductor)生产的一款单N沟道功率MOSFET,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关和负载开关,因其低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,有助于减少功率损耗和发热。 2. 电机驱动:用于小型电机或步进电机的控制电路中,支持快速开关操作,提高响应速度。 3. LED照明:在LED驱动电路中作为开关元件,实现高效调光与恒流控制。 4. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板、移动电源等便携设备中,用于电池充放电管理和电源切换。 5. 工业控制:用于工业自动化设备中的继电器替代、负载控制及功率调节。 该MOSFET采用TSON封装,体积小巧,适合高密度PCB布局,且具备良好的热稳定性与可靠性,适用于中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 9A MPT6MOSFET Pch -30V -9A MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 9 A |
| Id-连续漏极电流 | 9 A |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RP1E090RPTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RP1E090RPTR |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 21 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 21 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16.9 毫欧 @ 9A,10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MPT6 |
| 其它名称 | RP1E090RPDKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
| 封装/箱体 | MPT-6 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta) |