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  • 型号: IRFI740GPBF
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI740GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI740GPBF价格参考。VishayIRFI740GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFI740GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI740GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRFI740GPBF是一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子场景。其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):该型号适用于开关电源中的功率开关器件,用于实现高效的DC-DC或AC-DC转换。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。

2. 电机驱动:在中小型电机控制中,IRFI740GPBF可以用作驱动电路中的开关元件,支持电机的正转、反转及调速功能。其高电流处理能力和耐用性使其适合于多种电机应用。

3. 逆变器:该MOSFET可用于太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,作为主功率级的开关器件,将直流电转换为交流电,以供家庭或工业设备使用。

4. 负载切换与保护:在需要频繁开启或关闭大电流负载的应用中,例如汽车电子系统或工业自动化设备中,IRFI740GPBF可以提供可靠的负载切换功能,并具备过流保护能力。

5. 音频功放:在某些高功率音频放大器设计中,此MOSFET可用作输出级的开关元件,帮助实现高效能的声音信号放大。

6. 电池管理系统(BMS):在电动汽车或储能系统的电池管理中,这款MOSFET能够用于充放电路径的控制以及短路保护等功能。

总体而言,IRFI740GPBF凭借其出色的电气性能和稳定性,在需要高效功率转换和控制的各种工业、消费类电子产品中有广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220FPMOSFET N-Chan 400V 5.4 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.4 A

Id-连续漏极电流

5.4 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI740GPBF-

数据手册

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产品型号

IRFI740GPBFIRFI740GPBF

Pd-PowerDissipation

40 W

Pd-功率耗散

40 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

550 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

550 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

400 V

Vds-漏源极击穿电压

400 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

25 ns

下降时间

24 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1370pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

66nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

550 毫欧 @ 3.2A,10V

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220-3

其它名称

*IRFI740GPBF

典型关闭延迟时间

54 ns

功率-最大值

40W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 全封装,隔离接片

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

400V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.4A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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