Datasheet下载- 型号： FDW262P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDW262P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDW262P价格参考。Fairchild SemiconductorFDW262P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDW262P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDW262P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDW262P是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，适用于多种低电压、中等电流的电源管理与开关应用。其主要应用场景包括便携式电子设备中的负载开关、电池供电系统中的电源控制、电机驱动电路以及DC-DC转换器中的同步整流等。 该器件采用先进的工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)），有助于降低导通损耗，提高系统效率，特别适合对功耗敏感的应用，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端。此外，FDW262P具有良好的热稳定性和可靠性，可在较宽的温度范围内稳定工作，适用于工业控制、家用电器和汽车电子中的小功率开关控制。 由于其封装紧凑（通常为表面贴装型，如SO-8或DFN），便于在空间受限的PCB设计中使用，同时支持高密度布局。该MOSFET还可用于信号切换、电平转换和过流保护电路中，作为理想的开关元件。 总之，FDW262P凭借其高性能、小型化和高可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域，尤其适合需要高效、低功耗开关功能的中低端功率场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-TSSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FDW262P |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | PowerTrench® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1193pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
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