| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN016-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN016-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN016-100PS,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN016-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN016-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN016-100PS,127 是一款高性能 N 通道 MOSFET,属于晶体管中的功率 MOSFET 类别。该器件具有 100V 漏源击穿电压和低导通电阻(典型值约 1.6mΩ),适用于高效率、大电流的开关应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和 AC-DC 电源模块中,因其低导通损耗可提升能效。 2. 电机驱动:适用于工业自动化、电动工具和家用电器中的直流电机或步进电机控制,支持高频开关与快速响应。 3. 电池管理系统(BMS):在电动汽车、储能系统和便携式设备中用于电池充放电控制与保护电路。 4. 照明系统:用于 LED 驱动电源,特别是在高亮度或大功率 LED 照明中实现高效恒流控制。 5. 逆变器与UPS:在不间断电源(UPS)和光伏逆变器中作为关键开关元件,提高系统转换效率与可靠性。 该 MOSFET 采用 LFPAK 封装(类似 TO-220 形式),具备优良的热性能和机械稳定性,适合自动化生产,并可在较宽温度范围内稳定工作。其高电流承载能力(持续漏极电流可达 130A)和优化的栅极电荷特性,使其在高密度电源设计中表现优异。 综上,PSMN016-100PS,127 特别适用于对效率、散热和空间要求较高的工业、汽车及消费类电子电源系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V TO220ABMOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 96 A |
| Id-连续漏极电流 | 96 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN016-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN016-100PS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 148 W |
| Pd-功率耗散 | 148 W |
| Qg-GateCharge | 49 nC |
| Qg-栅极电荷 | 49 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.8 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2404pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 15A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5774 |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 148W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 28.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 96 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 57A (Tj) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |