Datasheet下载- 型号： PSMN016-100PS,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN016-100PS,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN016-100PS,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN016-100PS,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN016-100PS,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN016-100PS,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN016-100PS,127 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平功率MOSFET，采用TO-220封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 16 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 60 A）及100 V耐压特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流、降压（Buck）转换器主开关或续流开关，提升效率与功率密度； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机的H桥驱动电路，支持PWM调速，逻辑电平兼容性（VGS(th) ≈ 2–4 V）便于微控制器直接驱动； 3. 负载开关与电源管理：在板级电源分配中作热插拔保护、电子保险丝或负载切换开关，配合过流/过温保护电路实现可靠上电控制； 4. LED照明驱动：用于恒流驱动电路或调光开关，满足高效率、低发热要求； 5. 工业控制与自动化设备：如PLC输出模块、继电器替代方案，提供快速开关（ton/toff 纳秒级）与高可靠性。 该器件具备良好的雪崩耐受能力与坚固的栅极氧化层设计，适用于中高功率、中频（≤100 kHz）开关场景，兼顾性能与成本优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V TO220ABMOSFET N-CH 100V STD LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 96 A |
| Id-连续漏极电流 | 96 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN016-100PS,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN016-100PS,127 |
| Pd-PowerDissipation | 148 W |
| Pd-功率耗散 | 148 W |
| Qg-GateCharge | 49 nC |
| Qg-栅极电荷 | 49 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 28.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 28.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.8 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.8 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2404pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 49nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-5774 |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 148W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 28.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 96 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tj） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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